功能描述：12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

制造商：texas instruments

系列：FemtoFET?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：5nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：674pF @ 6V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 900mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：3-PICOSTAR

封装/外壳：3-XFDFN

标准包装：1

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